Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha anunciado que ha ampliado su gama de MOSFET de canal N de baja tensión, utilizado en circuitos de protección para baterías de iones de litio e interruptores de gestión de alimentación de equipos móviles, con el "TPN2R203NC". Fabricado con el proceso de octava generación, TPN2R203NC consigue una baja resistencia de encendido, lo cual reduce la pérdida de conducción en los equipos.
"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".
- Business Wire